[发明专利]一种单晶硅片表面织构化的方法有效
| 申请号： | 201680003137.X | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107924836B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 孙雪云;李渊 | 申请（专利权）人： | 南京中云新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 王庆艳;刘继富 |
| 地址： | 210061 江苏省南京市南京高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种单晶硅片表面织构化的方法，包括：将单晶硅片置于混合溶液A中进行表面金属沉积和刻蚀处理，形成倒金字塔状织构；其中，所述混合溶液A包含氢氟酸、氧化剂、金属离子、分散剂及水；所述分散剂包括阴离子型分散剂、非离子表面活性剂、崩解剂及水，且基于所述分散剂的总质量，所述阴离子型分散剂的质量百分数为20‑40％，非离子表面活性剂的质量百分数为8‑15％，崩解剂的质量百分数为3‑8％，余量为水；清洗去除单晶硅片表面残留的金属或金属氧化物。本发明的技术方案可以有效防止金属粒子团聚，使得单晶硅片表面金属粒子沉积的更加均匀，这样很容易在单晶硅片表面形成尺寸可控的倒金字塔状织构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 表面 织构化 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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