[发明专利]具有增强的可变性的片上半导体装置有效
| 申请号： | 201680003367.6 | 申请日： | 2016-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN107078162B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 王平川;裴成文;李伟健 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 物理不可克隆功能(PUF)半导体装置(100)包括沿着第一方向延伸以限定长度和沿着与第一方向相对的第二方向延伸以限定厚度的半导体衬底。在半导体衬底上形成至少一对半导体结构(102a，102b)。半导体结构(102a，102b)包括第一半导体结构(102a)和第二半导体结构(102b)。第一半导体结构(102a)包括具有限定第一阈值电压的第一形状的第一栅极电介质层(120a)。第二半导体结构(102b)包括具有第二电介质形状的第二栅极电介质层(120b)，第二电介质形状相对于第一形状相反地布置并且限定与第一阈值电压不同的第二阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 可变性 上半 导体 装置 | ||
【主权项】：
一种物理不可克隆功能PUF半导体装置，包括：半导体衬底，沿着第一方向延伸以限定长度并沿着垂直于所述第一方向的第二方向延伸以限定厚度；所述半导体衬底上的至少一对半导体结构，所述至少一对半导体结构包括：第一半导体结构，包括具有限定第一阈值电压的第一形状的第一栅极电介质层；和第二半导体结构，包括具有第二电介质形状的第二栅极电介质层，所述第二电介质形状相对于所述第一形状相反地布置并且限定与所述第一阈值电压不同的第二阈值电压。
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