[发明专利]光传感器

摘要

本申请的光传感器具备：半导体层；半导体层上的栅极绝缘层，该栅极绝缘层包含光电转换层；栅极绝缘层上的栅极电极；电压供给电路，该电压供给电路对半导体层内的源极区和漏极区中的一者与栅极电极之间施加电压；以及信号检测电路，该信号检测电路与源极区和漏极区中的另一者连接。光电转换层具有下述光电流特性：具有第一电压范围、第二电压范围和第三电压范围，该第一电压范围是随着逆向的偏压增大而使输出电流密度的绝对值增大，该第二电压范围是随着正向的偏压增大而使输出电流密度增大，该第三电压范围是在第一电压范围与第二电压范围之间并且输出电流密度相对于偏压的变化率的绝对值比第一电压范围和第二电压范围小，电压供给电路以使施加于光电转换层的偏压为第三电压范围内的方式施加电压，信号检测电路对与由入射光而产生的光电转换层的容量变化相对应的电信号进行检测。

主权项

一种光传感器，其具备：半导体层，该半导体层包含源极区和漏极区；栅极绝缘层，该栅极绝缘层位于被所述半导体层的所述源极区和所述漏极区所夹持的区域上，并且包含光电转换层；所述栅极绝缘层上的栅极电极；电压供给电路，该电压供给电路对所述源极区和所述漏极区中的一者与所述栅极电极之间施加电压；以及信号检测电路，该信号检测电路与所述源极区和所述漏极区中的另一者连接，其中，所述光电转换层具有下述光电流特性：具有第一电压范围、第二电压范围和第三电压范围，该第一电压范围是随着逆向的偏压增大而使输出电流密度的绝对值增大，该第二电压范围是随着正向的偏压增大而使输出电流密度增大，该第三电压范围是在所述第一电压范围与所述第二电压范围之间并且输出电流密度相对于偏压的变化率的绝对值比所述第一电压范围和所述第二电压范围小，所述电压供给电路以使施加于所述光电转换层的偏压为所述第三电压范围内的方式施加所述电压，所述信号检测电路对与由入射光而产生的所述光电转换层的容量变化相对应的电信号进行检测。