[发明专利]光检测装置有效
申请号: | 201680003705.6 | 申请日: | 2016-10-27 |
公开(公告)号: | CN107004691B | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 岛崎直树;玉置德彦;宍戸三四郎 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/3745 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请的某个实施方式的光检测装置具备:半导体层,该半导体层包含源极区和漏极区;栅极绝缘层,该栅极绝缘层位于被半导体层的源极区和漏极区所夹持的区域上,并且包含光电转换层;栅极电极,该栅极电极位于栅极绝缘层上;信号检测电路,该信号检测电路包含输入与源极区和漏极区中的一者电连接的第一信号检测晶体管;第一传输晶体管,该第一传输晶体管连接在源极区和漏极区中的一者与第一信号检测晶体管的输入之间;以及第一电容器,该第一电容器的一端与第一信号检测晶体管的输入电连接,其中,信号检测电路对由光经由栅极电极射入光电转换层而产生的与光电转换层的介电常数变化相对应的电信号进行检测。 | ||
搜索关键词: | 检测 装置 | ||
【主权项】:
一种光检测装置,其具备:半导体层,该半导体层包含源极区和漏极区;栅极绝缘层,该栅极绝缘层位于被所述半导体层的所述源极区和所述漏极区所夹持的区域上,并且包含光电转换层;栅极电极,该栅极电极位于所述栅极绝缘层上;信号检测电路,该信号检测电路包含输入与所述源极区和所述漏极区中的一者电连接的第一信号检测晶体管;第一传输晶体管,该第一传输晶体管连接在所述源极区和所述漏极区中的所述一者与所述第一信号检测晶体管的所述输入之间;以及第一电容器,该第一电容器的一端与所述第一信号检测晶体管的所述输入电连接,其中,所述信号检测电路对由光经由所述栅极电极射入所述光电转换层而产生的与所述光电转换层的介电常数变化相对应的电信号进行检测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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