[发明专利]制备发电器件的方法、发电器件和供电设备在审
申请号: | 201680003772.8 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN107431082A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 王明;闫正;曹彤彤 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/16 | 分类号: | H01L27/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种制备发电器件的方法、发电器件和供电设备。该方法包括首先制备第一电极(101)、功能层(103)和第二电极(102),功能层被制备在第一电极和第二电极之间;再通过第一电极和/或第二电极对功能层施加电信号,在功能层内部形成导电细丝(104,204),该导电细丝的导电率大于功能层的导电率,该导电细丝的两端分别与第一电极和第二电极电性连接。在第一电极与第二电极之间存在温差时,利用热电效应,使得通过导电细丝在第一电极与第二电极之间迁移载流子,在第一电极与第二电极之间产生电势差。 | ||
搜索关键词: | 制备 发电 器件 方法 供电 设备 | ||
【主权项】:
PCT国内申请,权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的