[发明专利]自立基板、功能元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201680004629.0 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN107208312B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 吉野隆史;今井克宏;坂井正宏 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 自立基板包括第一氮化物层和第二氮化物层，该第一氮化物层是通过氢化物气相生长法或氨热法培养得到的且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物，该第二氮化物层通过钠助熔剂法在第一氮化物层上培养得到且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物。第一氮化物层中，排列有多个在第一氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，第二氮化物层中，排列有多个在第二氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，第一氮化物层的厚度大于第二氮化物层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 自立 功能 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自立基板，其包括第一氮化物层和第二氮化物层，该第一氮化物层是通过氢化物气相生长法或氨热法培养得到的且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物，该第二氮化物层通过钠助熔剂法在所述第一氮化物层上培养得到且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物，所述自立基板的特征在于，所述第一氮化物层中，排列有多个在所述第一氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，所述第二氮化物层中，排列有多个在所述第二氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，所述第一氮化物层的厚度大于所述第二氮化物层的厚度。
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