[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201680004697.7 | 申请日: | 2016-01-20 |
公开(公告)号: | CN107112270B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 中田高行;野上孝志;谷山智志;上村大义 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;C23C16/44;H01L21/205 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能够缩短基板的冷却时间的基板处理装置。具备保持基板的基板保持体、位于基板保持体的下方的隔热部、向基板保持体移载基板的移载室、向移载室内供给气体的气体供给机构,气体供给机构具有向移载室内的基板保持体所在的上部区域供给气体且相对于基板形成水平方向的气体流动的第一气体供给机构、和向移载室内的隔热部所在的下部区域供给气体且相对于隔热部形成沿垂直方向向下的气体流动的第二气体供给机构,第一气体供给机构及第二气体供给机构设置于移载室的一侧面,且第二气体供给机构设置于第一气体供给机构的下方。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,具备:基板保持体,其保持基板;隔热部,其位于所述基板保持体的下方;移载室,其向所述基板保持体移载所述基板;以及气体供给机构,其向所述移载室内供给气体,所述气体供给机构具有:第一气体供给机构,其向所述移载室内的所述基板保持体所在的上部区域供给气体,相对于所述基板形成水平方向的气体流动;以及第二气体供给机构,其向所述移载室内的所述隔热部所在的下部区域供给气体,相对于所述隔热部形成沿垂直方向向下的气体流动,所述第一气体供给机构及所述第二气体供给机构设置于所述移载室的一侧面,且所述第二气体供给机构设置于所述第一气体供给机构的下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造