[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201680004883.0 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107112370B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 阿形泰典;高桥英纪;御田村直树;岛村亚希;尾崎大辅 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/322;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供如下一种半导体装置：即使在作为初始材料的母材晶圆所含有的碳、氧的杂质浓度不同的情况下，也能够使照射电子射线后的处理晶圆之间的能级不同的各种复合缺陷的构成比率成为同等，从而器件特性的偏差的调整变得容易。例如具备：第一导电型的漂移区(11)，其具有通过电子射线等的照射而产生的晶体缺陷；第一导电型的第一主电极区(13)，其配置于漂移区(11)的一部分，该第一主电极区的杂质浓度比漂移区(11)的杂质浓度高；以及第二导电型的第二主电极区(12)，其以与第一主电极区13相离的方式配置于漂移区(11)的另一部分，其中，晶体缺陷包括由空位和氧构成的第一复合缺陷以及由碳和氧构成的第二复合缺陷，该晶体缺陷的缺陷密度被设定为：在深能级瞬态谱法的测定中鉴定的第一复合缺陷的能级的信号峰强度为第二复合缺陷的能级的信号峰强度的5倍以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的漂移区，其具有通过电子射线的照射而产生的晶体缺陷；第一导电型的第一主电极区，其配置于所述漂移区的一部分，该第一主电极区的杂质浓度比所述漂移区的杂质浓度高；以及第二导电型的第二主电极区，其以与所述第一主电极区相离的方式配置于所述漂移区的另一部分，其中，所述晶体缺陷包括由空位和氧构成的第一复合缺陷以及由碳和氧构成的第二复合缺陷，所述晶体缺陷的缺陷密度被设定为：在深能级瞬态谱法的测定中鉴定的所述第一复合缺陷的能级的信号峰强度为所述第二复合缺陷的能级的信号峰强度的5倍以上。
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