[发明专利]替代金属栅极的制造方法、finFET器件及finFET器件的制造方法有效
| 申请号： | 201680005203.7 | 申请日： | 2016-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN107112217B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 何虹;王俊利;杨智超;李俊涛 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了一种制造晶体管器件中的替代金属栅极的方法、鳍型场效应晶体管(finFET)、以及一种制造具有替代金属栅极的finFET器件的方法。该制造替代金属栅极的方法包括：在衬底(110)之上形成伪栅极结构(140)，伪栅极结构(140)被绝缘层(120)包围；以及去除伪栅极结构(140)以在绝缘层(120)内暴露沟槽(121)。该方法还包括在绝缘层(120)之上和在沟槽(121)中保形地沉积电介质材料层(160)和功函数金属层(170)，并且从绝缘层(120)的顶表面去除电介质材料层(160)和功函数金属层(170)；使功函数金属层(170)凹陷到沟槽(121)的顶部下方；以及仅在功函数金属层(170)的暴露表面上选择性地形成栅极金属(190)。 | ||
| 搜索关键词： | 替代 金属 栅极 制造 方法 finfet 器件 | ||
【主权项】：
一种制造晶体管器件中的替代金属栅极的方法，所述方法包括：在衬底之上形成伪栅极结构，所述伪栅极结构被绝缘层包围；去除所述伪栅极结构以在所述绝缘层内暴露沟槽；在所述绝缘层之上和所述沟槽中保形地沉积电介质材料层和功函数金属层，并且从所述绝缘层的顶表面去除所述电介质材料层和所述功函数金属层；使所述功函数金属层凹陷到所述沟槽的顶部下方；以及仅在所述功函数金属层的暴露表面上选择性地形成栅极金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680005203.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高速螺旋刨机
- 下一篇：一种刨床后压料辊限位装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
