[发明专利]RFeB系烧结磁体的制造方法

摘要

本发明的RFeB系烧结磁体制造方法具有如下工序工序S1，将稀土元素R的含有率为26.5～29.5重量％的RFeB系合金块在700～1000℃温度的氢气氛中加热后，一边维持在750～900℃的温度一边在真空中进行HDDR处理，由此制作包含平均粒径为1μm以下的晶粒的多晶体的HDDR后原料合金块，所述平均粒径通过由电子显微镜图像求出的圆当量直径而得到；工序S2，在使HDDR后原料合金块与包含第2合金的接触物接触的状态下加热到700～950℃的温度，由此制作稀土含量高的原料合金块，所述第2合金的稀土元素R含有率高于所述RFeB系合金；工序S3，将稀土含量高的原料合金块微粉碎成平均粒径为1μm以下，由此制作原料合金粉末；取向工序S4，在模具中容纳原料合金粉末，不进行压缩成形地对该原料合金粉末施加磁场；烧结工序S5，将取向工序后的原料合金粉末加热到850～1050℃的温度。

主权项

一种RFeB系烧结磁体制造方法，其中，所述RFeB系烧结磁体以稀土元素R、Fe以及B为主成分，该制造方法具有如下工序：a)将稀土元素R的含有率为26.5～29.5重量％的RFeB系合金块在700～1000℃温度的氢气氛中加热后，一边维持在750～900℃的温度一边在真空中进行HDDR处理，由此制作包含平均粒径为1μm以下的晶粒的多晶体的HDDR后原料合金块的工序，所述平均粒径通过由电子显微镜图像求出的圆当量直径而得到；b)在使所述HDDR后原料合金块与包含第2合金的接触物接触的状态下加热到700～950℃的温度，由此制作稀土含量高的原料合金块的工序，所述第2合金的稀土元素R的含有率高于所述RFeB系合金；c)将所述稀土含量高的原料合金块微粉碎成平均粒径为1μm以下，由此制作原料合金粉末的工序；d)将所述原料合金粉末收纳在模具中，不进行压缩成形地对该原料合金粉末施加磁场的取向工序；e)将该取向工序后的原料合金粉末加热到850～1050℃的温度的烧结工序。