[发明专利]与硅波导水平耦合有效
| 申请号： | 201680005429.7 | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN107111064B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 陈龙 | 申请（专利权）人： | 阿卡西亚通信有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/30 | 分类号： | G02B6/30;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;李德山 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了用于形成面光耦合器的技术，该面光耦合器包括形成在硅衬底的沟槽上方的波导。在硅衬底中形成沟槽，并且然后用介电材料来填充沟槽。在沟槽上方的介电材料上以图案化方式形成波导，使得波导设置在距第一表面一定距离处。波导的第一端部具有第一尺寸，并且波导的远离第一端部的第二端部具有不同于第一尺寸的第二尺寸。波导的材料和第一尺寸限定波导的模式尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 水平 耦合 | ||
【主权项】：
一种形成波导的方法，包括：在硅衬底中形成沟槽，其中，所述沟槽具有第一表面；用介电材料填充所述沟槽；以及在所述沟槽上方的所述介电材料上以图案化方式形成所述波导，使得所述波导设置在距所述第一表面距离L处，其中，所述波导的在所述沟槽上方终止的第一端部具有第一尺寸，并且所述波导的远离所述第一端部的第二端部具有不同于所述第一尺寸的第二尺寸，以及其中，所述波导的材料和所述第一尺寸将所述波导的模式尺寸限定为小于2L。
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