[发明专利]神经元存储器电路

摘要

一种神经形态存储器电路，包括可编程电阻性存储器元件(108)，用于传输轴突LIF脉冲的轴突LIF线(116)和用于随时间建立树突LIF电荷的树突LIF线(110)。当轴突LIF线(116)传输轴突LIF脉冲时，第一晶体管(104)提供通过可编程电阻性存储器元件(108)的用于树突LIF电荷的放电路径。轴突STDP线(122)传输轴突STDP脉冲。轴突STDP脉冲长于轴突LIF脉冲。树突STDP线(118)被配置以在树突LIF线(110)处的电压Vpost低于阈值电压(120)之后传输树突STDP脉冲。第二晶体管(106)耦合到轴突STDP线(122)和可编程电阻性存储器元件(108)。当轴突STDP线(122)传输轴突STDP脉冲时，第二晶体管(106)提供用于通过可编程电阻性存储器元件(108)的用于树突STDP脉冲的电路径。

主权项

一种神经形态存储器电路，包括：可编程电阻性存储器元件；传导轴突泄漏积分和激发(LIF)线，被配置以传输轴突LIF脉冲；传导树突LIF线，被配置以随时间建立树突LIF电荷；第一晶体管，电耦合到所述树突LIF线和所述可编程电阻性存储器元件，当所述轴突LIF线传输所述轴突LIF脉冲时，所述第一晶体管提供通过所述可编程电阻性存储器元件的用于所述树突LIF电荷的放电路径；传导轴突尖峰定时依赖可塑性(STDP)线，被配置以传输轴突STDP脉冲，所述轴突STDP脉冲长于所述轴突LIF脉冲；传导树突STDP线，被配置以在所述树突LIF线处的电压下落低于阈值电压之后传输树突STDP脉冲；以及第二晶体管，电耦合到所述轴突STDP线和所述可编程电阻性存储器元件，当所述轴突STDP线传输所述轴突STDP脉冲时，所述第二晶体管提供通过所述可编程电阻性存储器元件的用于所述树突STDP脉冲的电路径。