[发明专利]芯片级功率可调紫外光源有效
| 申请号： | 201680005692.6 | 申请日： | 2016-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN107278346B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | K·塞严;奥列格·M·埃菲莫夫;帕米拉·R·帕特森;安德雷·基谢廖夫 | 申请（专利权）人： | HRL实验室有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/028;H01S5/042;H01S5/06;H01S5/068;H01S5/0683;H01S5/187;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京鸿德海业知识产权代理事务所(普通合伙) 11412 | 代理人： | 袁媛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种芯片级紫外线激光源，包括位于衬底上的多个激光器元件，每个激光器元件包括：后腔镜、锥形增益介质、外耦合器、非线性晶体，其在前端面耦合到所述外耦合器，其中所述前端面具有第一涂层，所述第一涂层对所述激光器元件的基本波长具有抗反射性(AR)，并且对紫外线波长具有高反射性(HR)，并且其中所述非线性晶体的出射面具有第二涂层，所述第二涂层对所述激光器元件的基本波长具有高反射性(HR)，对紫外线波长具有抗反射性(AR)；耦合至所述外耦合器的光电探测器；耦合至所述光电探测器并耦合至所述后腔镜的调相器；和所述衬底上的主激光二极管，其耦合至每个激光器元件的所述调相器。每个激光器元件发射紫外线波束并且频率和相位锁定至所述主激光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 功率 可调 紫外 光源 | ||
【主权项】：
1.一种芯片级紫外线激光源，包括：衬底；位于衬底上的多个芯片级紫外线激光器元件，其中每个芯片级紫外线激光器元件包括：后腔镜；耦合到所述后腔镜的锥形增益介质；耦合到所述锥形增益介质的外耦合器；非线性晶体，其在所述非线性晶体的前端面耦合到所述外耦合器，其中所述前端面具有第一涂层，所述第一涂层对所述激光器元件的基本波长具有抗反射性(AR)，并且对紫外线波长具有高反射性(HR)，并且其中所述非线性晶体的出射面具有第二涂层，所述第二涂层对所述激光器元件的基本波长具有高反射性(HR)，并且对所述紫外线波长具有抗反射性(AR)；耦合至所述外耦合器的光电探测器；耦合至所述光电探测器并耦合至所述后腔镜的调相器；和所述衬底上的主激光二极管，其耦合至每个激光器元件的所述调相器并耦合至每个激光器元件的所述光电探测器；其中每个激光器元件从所述出射面发射紫外线波束；以及其中每个激光器元件频率和相位锁定至所述主激光二极管。
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