[发明专利]高热导性氮化硅烧结体、使用了其的氮化硅基板及氮化硅电路基板以及半导体装置有效
| 申请号： | 201680005834.9 | 申请日： | 2016-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN107207366B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 青木克之 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;H01L23/12;H01L23/13;H01L23/36;H05K1/03;H05K1/05 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种氮化硅烧结体，其特征在于，其是热导率为50W/m·K以上、3点弯曲强度为600MPa以上的高热导性氮化硅烧结体，其中，在对氮化硅烧结体的任意的截面进行XRD分析时，在将于衍射角29.3±0.2°、29.7±0.2°、27.0±0.2°、36.1±0.2°下检测到的最强峰值强度设为I |
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| 搜索关键词： | 高热 氮化 烧结 使用 硅基板 路基 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种高热导性氮化硅烧结体，其特征在于，其是热导率为50W/m·K以上、3点弯曲强度为600MPa以上的高热导性氮化硅烧结体，其中，在对氮化硅烧结体的任意的截面进行XRD分析时，在将于衍射角29.3±0.2°、29.7±0.2°、27.0±0.2°、36.1±0.2°下检测到的最强峰值强度设为I29.3°、I29.7°、I27.0°、I36.1°时，峰值比(I29.3°)/(I27.0°+I36.1°)满足0.01～0.08，并且，峰值比(I29.7°)/(I27.0°+I36.1°)满足0.02～0.16。
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