[发明专利]单晶金刚石材料、单晶金刚石芯片和穿孔工具有效
| 申请号： | 201680006136.0 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN107109691B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 西林良树;辰巳夏生;角谷均;植田晓彦;小林丰 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;住友电工硬质合金株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;B23B51/00;C23C16/27;C30B25/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在单晶金刚石材料中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石材料具有偏角为20°以下的晶体生长主表面。在单晶金刚石芯片中，非置换型氮原子的浓度可以为200ppm以下，置换型氮原子的浓度可以低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石芯片可以具有偏角为20°以下的主表面。一种穿孔工具，其包含单晶金刚石拉丝模，其中在所述单晶金刚石拉丝模中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石拉丝模具有由‑5以上且5以下的整数密勒指数表示的低指数面，所述低指数面的垂线相对于拉丝用孔的取向的偏角为20°以下。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 材料 芯片 穿孔 工具 | ||
【主权项】：
一种单晶金刚石材料，其中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石材料具有偏角为20°以下的晶体生长主表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社;住友电工硬质合金株式会社，未经住友电气工业株式会社;住友电工硬质合金株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680006136.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
