[发明专利]衬底处理装置以及反应管有效
| 申请号： | 201680006272.X | 申请日： | 2016-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN107210218B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 山崎惠信;村田慧;森田慎也 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/42;C23C16/44;H01L21/02;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;沈静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 课题在于抑制炉口部周围的副产物的附着。具有：反应管，其在内部具有处理衬底的衬底处理区域；以及炉口部，其配置于反应管的下部，反应管具有：突出部，其向反应管的下方的外周侧突出；以及延伸部，其从反应管的下端向下方延伸，比与衬底处理区域对应的位置处的反应管的厚度形成得更厚，覆盖炉口部的内周面。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 以及 反应 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，具有：反应管，其在内部具有处理衬底的衬底处理区域；以及炉口部，其配置于所述反应管的下部，所述反应管具有：突出部，其向所述反应管的下方的外周侧突出；以及延伸部，其从所述反应管的下端向下方延伸，比与所述衬底处理区域对应的位置处的所述反应管的厚度形成得更厚，覆盖所述炉口部的内周面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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