[发明专利]形成分裂栅存储器单元阵列及低和高电压逻辑器件的方法

摘要

本发明公开了一种在具有存储器区域、LV区域和HV区域的衬底上形成存储器设备的方法，该方法包括在存储器区域中形成数对间隔开的存储器叠堆；在衬底上方形成与衬底绝缘的第一导电层；在第一导电层上形成第一绝缘层并从存储器区域和HV区域去除第一绝缘层；执行导电材料沉积以加厚存储器区域和HV区域中的第一导电层，并在LV区域中的第一绝缘层上形成第二导电层；执行蚀刻以减薄存储器区域和HV区域中的第一导电层，并去除LV区域中的第二导电层；从LV区域去除第一绝缘层；以及对第一导电层进行图案化以在存储器区域、LV区域和HV区域中形成第一导电层的区块。

主权项

一种形成存储器设备的方法，包括：提供硅衬底，其中所述衬底具有存储器区域、LV区域和HV区域，所述区域通过延伸到所述衬底的表面中的绝缘材料彼此绝缘，并且其中所述衬底具有第一导电类型；在所述衬底上并且在所述存储器区域中形成数对间隔开的存储器叠堆，其中每个存储器叠堆包括：设置在所述衬底上方并与所述衬底绝缘的浮栅，和设置在所述浮栅上方并与所述浮栅绝缘的控制栅；在所述存储器区域、所述LV区域和所述HV区域中在所述衬底上方形成与所述衬底绝缘的第一导电层，其中所述第一导电层向上延伸越过所述数对存储器叠堆；在所述存储器区域、所述LV区域和所述HV区域中的所述第一导电层上形成第一绝缘层；从所述存储器区域和所述HV区域去除所述第一绝缘层，同时保持所述LV区域中的所述第一绝缘层；执行导电材料沉积以加厚所述存储器区域和所述HV区域中的所述第一导电层并在所述LV区域中的所述第一绝缘层上形成第二导电层；执行蚀刻以减薄所述存储器区域和所述HV区域中的所述第一导电层并去除所述LV区域中的所述第二导电层，其中所述存储器区域和所述HV区域中的所述第一导电层的顶表面高于所述LV区域中的所述第一绝缘层的底表面；从所述LV区域去除所述第一绝缘层；以及对所述第一导电层进行图案化，以在所述存储器区域、所述LV区域和所述HV区域中形成所述第一导电层的区块，其中所述LV区域中的所述第一导电层的所述区块的高度小于所述HV区域中的所述第一导电层的所述区块的高度。