[发明专利]湿蚀刻方法、基板液处理装置以及存储介质

摘要

湿蚀刻方法具备以下步骤：使基板(W)旋转；向正在旋转的基板的第一面(器件形成面)供给蚀刻用的药液；以及在向基板供给药液的期间中，向基板的第二面(非器件形成面)供给蚀刻抑制液(DIW)。蚀刻抑制液经过基板的端缘(WE)而绕到第一面且到达第一区域，该第一区域为从第一面的周缘部分中的基板的端缘至第一面上的位于比端缘靠径向内侧的第一径向位置的区域。由此，能够对形成有两层膜的基板的上层良好地进行斜角蚀刻处理。

主权项

一种湿蚀刻方法，对基板进行湿蚀刻，所述基板具有第一面和所述第一面的背面侧的第二面，在所述基板的至少所述第一面的周缘部分层叠有作为下层的第一层和作为上层的第二层，所述湿蚀刻方法的特征在于，具备第一蚀刻工序，所述第一蚀刻工序包括如下步骤：使所述基板旋转；向正在旋转的所述基板的所述第一面供给能够蚀刻所述第一层和所述第二层这两方的药液；以及在向所述基板供给所述药液的期间中，向所述基板的所述第二面供给蚀刻抑制液，其中，所述第一蚀刻工序使所述基板以如下方式旋转来供给所述蚀刻抑制液，该方式为使所述蚀刻抑制液经过所述基板的端缘而绕到所述第一面且到达第一区域的方式，该第一区域为从所述第一面的周缘部分中的所述基板的所述端缘至所述第一面上的位于比所述端缘靠径向内侧的第一径向位置的区域。