[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件，它是包含含有陶瓷烧结体粒子的陶瓷坯体、配置在陶瓷坯体的两端面的第一外部电极和第二外部电极的半导体元件，其中，陶瓷烧结体粒子是至少含有Ba和Ti的钙钛矿型化合物；陶瓷烧结体粒子的平均粒径为0.4μm以上且1.0μm以下；陶瓷烧结体粒子的接触率在45％以上，所述接触率根据以扫描型电子显微镜对半导体元件的一截面中所选择的一区域进行观察所算出的存在于一区域内的陶瓷烧结体粒子的周长合计、存在于一区域内的孔的周长合计、一区域的外周长、以及存在于一区域内的陶瓷烧结体粒子的接触长度的值而算出。

主权项

1.一种半导体元件，它是包含陶瓷坯体、第一外部电极和第二外部电极的半导体元件，所述陶瓷坯体含有陶瓷烧结体粒子；所述第一外部电极配置在所述陶瓷坯体的第一端面；所述第二外部电极配置在所述陶瓷坯体的第二端面；其特征在于，所述陶瓷烧结体粒子是至少含有Ba和Ti的钙钛矿型化合物；所述陶瓷烧结体粒子的平均粒径为0.4μm以上且1.0μm以下；所述陶瓷烧结体粒子的接触率在45％以上，所述接触率根据以扫描型电子显微镜对所述半导体元件的一截面中所选择的一区域进行观察所算出的存在于所述一区域内的所述陶瓷烧结体粒子的周长合计L_G、存在于所述一区域内的孔的周长合计L_NC、所述一区域的外周长L_S、以及以下式表示的存在于所述一区域内的所述陶瓷烧结体粒子的接触长度L_C的值，(数1)通过下式算出,(数2)