[发明专利]用于制造半导体组件的方法及半导体组件

摘要

提供了一种用于制造多个半导体组件的方法，其中在衬底上施加具有第一半导体层、第二半导体层和有源区的半导体层序列。形成用于电接触第一半导体层和第二半导体层的接触结构。半导体层序列通过形成使半导体本体分离的至少一个沟槽而结构化成多个半导体本体。形成绝缘层以覆盖沟槽和半导体本体的垂直表面。通过对覆盖沟槽的区域中的绝缘层进行结构化而形成多个约束件。衬底从半导体本体局部分离，其中约束件保持附接至衬底。通过使约束件从衬底分离来选择性地拾取至少一个半导体本体。此外，提供了一种通过所述方法制造的半导体组件。

主权项

1.一种用于制造各自具有半导体本体(2)的多个半导体组件(100)的方法，所述方法包括以下方法步骤：A)在衬底(9)上施加具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源区(23)的半导体层序列(200)；B)形成用于电接触所述第一半导体层(21)和所述第二半导体层(22)的接触结构(7)；C)通过形成使所述半导体本体(2)分开的至少一个沟槽(20)来对所述半导体层序列(200)进行结构化；D)施加覆盖所述沟槽(20)以及所述半导体本体(2)的垂直表面的绝缘层(6)；E)通过在覆盖所述沟槽(20)的区域中对所述绝缘层(6)进行结构化来形成多个约束件(63)；F)使所述衬底(9)从所述半导体本体(2)局部分离，其中所述约束件(63)保持附接至所述衬底(9)；以及G)通过使所述约束件(63)从所述衬底(9)分开来选择性地拾取具有一个第一半导体层(21)、一个第二半导体层(22)和一个有源区(23)的至少一个半导体本体(2)以及一个相关联的接触结构(7)。