[发明专利]中心偏离栅极切割有效
| 申请号： | 201680007996.6 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN107210297B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | Y·刘;S·S·宋 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 袁逸;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括扩散区域、耦合到该扩散区域的栅极结构、以及耦合到该扩散区域的虚设栅极结构。该栅极结构超出该扩散区域延伸第一距离，并且该虚设栅极结构超出该扩散区域延伸第二距离。 | ||
| 搜索关键词： | 中心 偏离 栅极 切割 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：扩散区域；耦合到所述扩散区域的栅极结构，所述栅极结构超出所述扩散区域延伸第一距离；以及耦合到所述扩散区域的虚设栅极结构，所述虚设栅极结构超出所述扩散区域延伸第二距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
