[发明专利]树脂膜形成用复合片、以及带树脂膜的芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201680008033.8 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN107210205B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 米山裕之;佐伯尚哉;小桥力也 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B32B7/02;B32B27/00;C09D7/40;C09D201/00;C09J7/20;C09J201/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种树脂膜形成用复合片，其具有在支撑片上直接叠层有能够形成树脂膜的树脂膜形成用膜的结构，且满足下述要件(I)及(II)。要件(I)：将待与硅晶片贴合一侧的所述树脂膜形成用膜的表面(α)贴合在硅晶片上之后，在23℃的环境中、拉伸速度300mm/分及拉伸角度180°的剥离条件(x)下测定的、将该树脂膜形成用膜从该硅晶片剥离所需要的剥离力(α1)为0.05～10.0N/25mm；要件(II)：在所述剥离条件(x)下测定的、将所述支撑片从与所述支撑片直接叠层一侧的所述树脂膜形成用膜的表面(β)剥离所需要的剥离力(β1)是剥离力(α1)以上的值。 | ||
| 搜索关键词： | 树脂 形成 复合 以及 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种树脂膜形成用复合片，其具有在支撑片上直接叠层有能够形成树脂膜的树脂膜形成用膜的结构，且满足下述要件(I)及(II)：要件(I)：将待与硅晶片粘贴一侧的所述树脂膜形成用膜的表面(α)粘贴在硅晶片上之后，在23℃的环境中、拉伸速度300mm/分及拉伸角度180°的剥离条件(x)下测定的、将该树脂膜形成用膜从该硅晶片剥离所需要的剥离力(α1)为0.05～10.0N/25mm；要件(II)：在所述剥离条件(x)下测定的、将所述支撑片从与所述支撑片直接叠层一侧的所述树脂膜形成用膜的表面(β)剥离所需要的剥离力(β1)是剥离力(α1)以上的值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
