[发明专利]纳米晶体磁性合金及其热处理方法有效
| 申请号： | 201680008309.2 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN107532267B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 太田元基;伊藤直树 | 申请（专利权）人： | 梅特格拉斯公司;日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C22C45/02 | 分类号： | C22C45/02;H01F1/147 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 金辉 |
| 地址： | 美国南卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种纳米晶体合金带，具有局部结构和至少为200mm的带曲率半径，所述局部结构具有分散在非晶基质中平均粒度小于40nm的纳米晶体，所述纳米晶体占据所述带的30体积百分比以上。所述带可以具有铁基合金组合物，包含0.6原子百分比‑1.2原子百分比的Cu、10原子百分比‑20原子百分比的B和大于0原子百分比且高达10原子百分比的Si，其中B和Si的组合含量为10原子百分比‑24原子百分比。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶体 磁性 合金 及其 热处理 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米晶体合金带，包含：铁基合金组合物，包含0.6原子百分比‑1.2原子百分比的Cu、10原子百分比‑20原子百分比的B和大于0原子百分比且高达10原子百分比的Si，其中B和Si的组合含量为10原子百分比‑24原子百分比；局部结构，具有分散在非晶基质中平均粒度小于40nm的纳米晶体，所述纳米晶体占据所述带的30体积百分比以上；以及至少为200mm的带曲率半径。
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