[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

提供一种降低了寄生电容的半导体装置。一种半导体装置包括：第一绝缘层；第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；第二氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层；第一绝缘层、源电极层及漏电极层上的第二绝缘层；第二绝缘层上的第三绝缘层；第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；第三氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层。第二绝缘层为氧阻挡层并具有与第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、源电极层及漏电极层的侧面接触的区域。第三氧化物半导体层具有与第二氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、第二绝缘层及第三绝缘层的侧面接触的区域。

主权项

一种半导体装置，包括：第一绝缘层；所述第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；所述第二氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层；所述第一绝缘层、所述源电极层及所述漏电极层上的第二绝缘层；所述第二绝缘层上的第三绝缘层；所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；所述第三氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及所述栅极绝缘层上的栅电极层，其中，所述第二绝缘层为氧阻挡层并具有与所述第一氧化物半导体层的侧面、所述第二氧化物半导体层的侧面、所述源电极层的侧面及所述漏电极层的侧面接触的区域，并且，所述第三氧化物半导体层具有与所述第二氧化物半导体层的侧面、所述源电极层的侧面、所述漏电极层的侧面、所述第二绝缘层的侧面及所述第三绝缘层的侧面接触的区域。