[发明专利]零电荷电位基电容去离子有效
| 申请号： | 201680008412.7 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN107206290B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 高欣;A·欧姆赛比;J·R·兰登;K·刘 | 申请（专利权）人： | 肯塔基大学研究基金会 |
| 主分类号： | B01D15/36 | 分类号： | B01D15/36;C25B9/04;H01G2/22;H01G4/04;H01G5/012;H01M10/05 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 彭立兵;林柏楠 |
| 地址： | 美国肯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是通过经表面改性改变电极表面的零电荷电位解决传统电容去离子(CDI)和膜电容去离子(MCDI)装置和方法的短寿命问题的电容(又称静电)去离子装置和方法。这样的电极表面改性提供极长寿命的电容去离子装置和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 电位 电容 离子 | ||
【主权项】：
在包含至少一个入口、至少一个出口、至少一个阳极、至少一个阴极、操作以向至少一个阳极和至少一个阴极施加短路或用户可选的DC恒定电压或恒定电流的开关和经所述入口进入和经所述出口排出的离子溶液的结构中的静电装置，所述离子溶液通过与所述至少一个阳极和至少一个阴极接触而去离子，其中已通过阳极表面的改性使至少一个阳极的零电荷电位(EPZC)的位置移向提高的EPZC值。
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