[发明专利]用于宽能带隙晶体的种晶升华的炉

摘要

一种用于半导体晶体的物理气相传输法生长的设备，其包含：定义对称轴的圆柱形真空壳体；用于支承真空壳体内的反应室的反应室支承件；由对RF能量透明的材料制成且具有沿对称轴定义的高度H_室的圆柱形反应室；在真空壳体的外部周围提供且绕着对称轴轴向居中的RF线圈，其中，RF线圈配置成沿着至少高度H_室产生均匀的RF场；和配置用于在反应室内沿着对称轴产生热梯度的隔热件。RF感应线圈的高度对高度H_室之比可在2.5～4.0或2.8～4.0的范围内，所述RF感应线圈的高度沿对称轴测得。

主权项

1.一种感应炉设备，其用于通过种晶升华生长来生长半导体晶体，所述感应炉设备包含：石英真空腔室；圆柱形RF感应线圈，所述圆柱形RF感应线圈与所述石英真空腔室同轴定位；RF电力供给器，所述RF电力供给器耦合至所述RF感应线圈；反应室，所述反应室配置用于容纳晶种和源材料，且所述反应室定义轴向长度，所述轴向长度测量为所述反应室沿其旋转对称轴的高度；隔热层排布，所述隔热层排布位于所述反应室的周围，且配置用于在所述反应室内产生热梯度；支承件，所述支承件用于将所述反应室放置于所述石英真空腔室内，其中，所述RF感应线圈配置用于当所述反应室以与所述感应线圈同轴、与所述石英真空腔室同轴、且相对于所述线圈的轴向长度靠近所述线圈的中心或者位于所述线圈的中心来定位时，在所述反应室的周围产生均匀的电磁场，且所述RF感应线圈的高度对所述反应室的轴向长度之比为2.5～4.0，所述RF感应线圈的高度沿所述旋转对称轴测得。