[发明专利]功率晶体管的具有可变条带宽度的稀释漂移层有效
| 申请号： | 201680008805.8 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN107534055B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 张永熙;萨米尔·P·佩恩达尔卡尔;斯科特·G·巴尔斯特 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在所描述实例中，一种多指横向高电压晶体管MFLHVT(100)包含：衬底(105)，其被掺杂成第一掺杂剂类型；井(102)，其被掺杂成第二掺杂剂类型；及埋入漂移层BDL(132)，其被掺杂成第一类型、具有包含稀释条带的稀释BDL部分DBDL(132a)。被掺杂成第二类型的半导体表面(138)在BDL上。电介质隔离区(162)具有界定在第一间隙区(第一深沟)中的第一作用区域及在第二间隙区(第二深沟)中的第二作用区域的间隙。漏极包含与在第一深沟中的源极指互相交叉的在第二深沟中的漏极指，所述源极指及所述漏极指各自被掺杂成第二掺杂剂类型。DBDL位于在第一深沟与第二深沟之间与漏极指尖及/或源极指尖相关联的指尖漂移区内。栅极堆叠在半导体表面上位于源极与漏极之间。稀释条带具有在其相应位置处随漂移长度单调地增加的条带宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 具有 可变 条带 宽度 稀释 漂移 | ||
【主权项】：
一种多指横向高电压晶体管MFLHVT，其包括：在被掺杂成第一掺杂剂类型的衬底上包含以下各项的堆叠：井，其被掺杂成第二掺杂剂类型；埋入漂移层BDL，其被掺杂成所述第一掺杂剂类型、具有包含多个稀释条带的稀释BDL部分DBDL；半导体表面，其在所述BDL上被掺杂成所述第二掺杂剂类型；电介质隔离区，其至少部分地在所述半导体表面中、具有界定在第一电介质间隙区(第一深沟)中的第一作用区域及在第二电介质间隙区(第二深沟)中的第二作用区域的间隙；漏极，其包含在所述第二深沟中具有漏极指尖的多个漏极指，所述漏极与源极互相交叉，所述源极包含在所述第一深沟中具有源极指尖的多个源极指，所述漏极指及所述源极指各自被掺杂成所述第二掺杂剂类型；指尖漂移区FDR，其在所述第一深沟与所述第二深沟之间与所述漏极指尖(漏极FDR)及所述源极指尖(源极FDR)中的至少一者相关联，其内有所述DBDL；在所述半导体表面中的上部电流沟道及在所述井中的下部电流沟道，所述上部电流沟道及所述下部电流沟道两者均在所述源极与所述漏极之间；及至少第一栅极堆叠，其在所述半导体表面上位于所述源极与所述漏极之间；其中所述多个稀释条带具有在其相应位置处随漂移长度单调地增加的相应条带宽度。
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