[发明专利]制备有机卤代硅烷的方法有效
| 申请号： | 201680008993.4 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN107223127B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | J·M·戈恩德隆 | 申请（专利权）人： | 美国陶氏有机硅公司 |
| 主分类号： | C07F7/12 | 分类号： | C07F7/12;B01J21/02;B01J37/00;B01J37/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种用于制备有机卤代硅烷的方法，所述方法包括：在大于100℃的温度和至少690kPa的压力下，在包含元素Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Nb、B、Al、Ga、In、C、Si、Ge、Sn或Pb中的一种或多种的催化剂的存在下，使包含卤素取代或未取代的芳族化合物的有机化合物与包含式(I)R |
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| 搜索关键词： | 制备 有机 硅烷 方法 | ||
【主权项】：
用于制备有机卤代硅烷的方法，所述方法包括：在大于100℃的温度和至少690kPa的压力下，在包含元素Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Nb、B、Al、Ga、In、C、Si、Ge、Sn或Pb中的一种或多种的催化剂的存在下，使包含卤素取代或未取代的芳族化合物的有机化合物与包含式(I)RnSiHmX4‑m‑n的至少两种不同氢化卤代硅烷的氢化卤代硅烷混合物反应，以产生包含有机卤代硅烷的粗反应产物，其中每个R独立地为C1‑C14烃基或C1‑C14卤素取代的烃基，X为氟、氯、溴或碘，n为0、1或2，m为1、2或3，并且m+n为1、2或3，前提条件是当至少两种不同的氢化卤代硅烷包含其中n＝0且m＝1的式(I)的氢化卤代硅烷和其中n＝0且m＝2的式(I)的氢化卤代硅烷时，所述催化剂为包含元素Sc、Y、Ti、Zr、Hf、B、Al、Ga、In、C、Si、Ge、Sn或Pb中的一种或多种的氧化物的非均相催化剂。
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