[发明专利]碳化硅单晶块的制造方法和碳化硅单晶块有效
| 申请号： | 201680009053.7 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN107208311B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 谷小桃;矢野孝幸;藤本辰雄;柘植弘志;龟井一人;楠一彦;关和明 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明针对在籽晶与生长SiC单晶的界面附近发生的穿透螺型位错的增大，提供一种通过提高伴随SiC单晶的生长而发生的位错密度的减少率，从而制造从生长的初期阶段开始穿透螺型位错密度就较小的SiC单晶块的方法。本发明涉及一种碳化硅单晶块的制造方法，其是在由碳化硅单晶形成的籽晶的生长面上使用升华再结晶法使碳化硅单晶生长而制造碳化硅单晶块的方法，其中，预先在籽晶的生长面上形成台阶的高度为10μm～1mm、平台的宽度为200μm～1mm的台阶聚束，然后使用升华再结晶法使碳化硅单晶在所述籽晶的生长面上生长。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 单晶块 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅单晶块的制造方法，其特征在于，其是在由碳化硅单晶形成的籽晶的生长面上使用升华再结晶法使碳化硅单晶生长而制造碳化硅单晶块的方法，其中，/n在具有偏角的籽晶的生长面上，使用溶液生长法使厚度为0.1mm～3mm的碳化硅单晶生长，从而在所述籽晶的生长面上形成台阶的高度为10μm～1mm、平台的宽度为200μm～1mm的台阶聚束，/n使用升华再结晶法使碳化硅单晶在所述籽晶的生长面上生长。/n
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