[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201680009069.8 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN108124494B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 小谷凉平;松原寿树;石塚信隆;三川雅人;押野浩 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/329;H01L21/822;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/866 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 【课题】提供一种能够抑制过电压保护二极管的耐压变动的半导体装置。【解决手段】实施方式涉及的半导体装置1包括：绝缘膜4，被形成在耐压区域B上；过电压保护二极管5，具有被交替地相邻配置在所述第一绝缘膜上的N型半导体层5a与P型半导体层5b；导体部6、7、8、9，被形成在绝缘膜4上，并且与过电压保护二极管5电气连接；绝缘膜15，覆盖过电压保护二极管5以及导体部6、7、8、9；以及高电位部17，经由绝缘膜15被配置在过电压保护二极管5的上方，其中，P型半导体层5b的P型掺杂物浓度比N型半导体层5a的N型掺杂物浓度更低，高电位部17被构成为：在反向偏置施加状态下，具有比位于高电位部17正下方的P型半导体层5b的电位更高的电位。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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