[发明专利]用于探测电离辐射的闪烁探测器

摘要

用于探测电离辐射的闪烁探测器，该电离辐射尤其是电子、X射线或粒子辐射，该闪烁探测器包括单晶基底（1）、至少一个缓冲层（2）、至少一个氮化物半导体层（3、4、5、6），该至少一个氮化物半导体层被施加至具有外延的基底（1）上，该氮化物半导体层用通式Al_yIn_xGa_1‑x‑yN描述，其中0≤x≤1、0≤y≤1和0≤x+y≤1有效，其中至少两个氮化物半导体层（3、4）被设置在层状异质结构中，该层状异质结构的结构包含至少一个势阱，该至少一个势阱用于电子和空穴的辐射重组。在该结构中，设有大体上相同极化的氮化物半导体层（3、4）的至少一个活性双层，该至少一个活性双层由Al_ybIn_xbGa_1‑xb‑ybN型的阻挡层（4）和表示势阱的Al_ywIn_xwGa_1‑xw‑ywN型的层（5）组成，其中xb≤xw和yb≤yw有效；或者存在厚度（t₃）小于2nm、Al_ydIn_xdGa_1‑xd‑ydN型的至少一个载体吸引层（7），其中yd≤yw和xd≥xw+0.3，该至少一个载体吸引层（7）嵌入氮化物半导体层（4、5）的至少一个活性双层中，以减小发光衰减时间。

主权项

1.用于探测电离辐射的闪烁探测器，该闪烁探测器包括单晶基底(1)，在该单晶基底(1)上施加至少一个缓冲层(2)，用于将至少一个氮化物半导体层(3、4、5、6)结合在具有外延的单晶基底(1)上，该氮化物半导体层用通式Al_yIn_xGa_1‑x‑yN描述，其中0≤x<1、0≤y<1和0≤x+y≤1有效，且其中至少两个氮化物半导体层(3、4)被设置在层状异质结构中，该层状异质结构的结构包含至少一个势阱，该至少一个势阱用于电子和空穴的辐射重组，其特征在于，在缓冲层(2)上设有至少一个底部氮化物半导体层(3)，在该底部氮化物半导体层(3)上方设有大体上相同极化的氮化物半导体层(3、4)的至少一个活性双层，该至少一个活性双层由Al_ybIn_xbGa_1‑xb‑ybN型的阻挡层和表示势阱的Al_ywIn_xwGa_1‑xw‑ywN型的层组成，其中xb≤xw和yb≤yw有效；或者在氮化物半导体层(4、5)的至少一个活性双层中嵌入厚度(t₃)小于2nm、Al_ydIn_xdGa_1‑xd‑ydN型的至少一个层(7)，其中yd≤yw和xd≥xw+0.3有效，以在表示势阱的Al_ywIn_xwGa_1‑xw‑ywN型的层的内部形成邻接至表示势阱的Al_ywIn_xwGa_1‑xw‑ywN型的层的载体吸引层，表示势阱以减小发光衰减时间；在氮化物半导体层(3、4)的最高的活性双层上方，以远离基底(1)的方向设有至少一个顶部氮化物半导体层(6)。