[发明专利]用于保护要由电网运行的单元免受过压的电路装置

摘要

本发明涉及一种用于保护可由电网运行的单元免受过压的电路装置，所述电路装置具有包括第一和第二输入连接端的输入端和包括第一和第二输出连接端的输出端以及具有保护电路，所述第一和第二输入连接端与电网连接，要保护的单元可连接在所述第一和第二输出连接端上，所述保护电路设置在第一和第二输入连接端之间，以便限制施加在所述保护电路上的电压。根据本发明，保护电路具有功率半导体、特别是IGBT，其中在功率半导体的集电极与门极之间连接有由Diac即双向二极管和齐纳元件组成的串联电路，其中齐纳电压和双向二极管电压的和产生用于功率半导体的钳位电压，该钳位电压位于电网的电压之上并且限定保护电平。

主权项

1.用于保护要由电网运行的单元免受过压的电路装置，所述电路装置具有包括第一和第二输入连接端的输入端和包括第一和第二输出连接端的输出端以及具有保护电路，所述第一和第二输入连接端与电网连接，要保护的单元能连接在所述第一和第二输出连接端上，所述保护电路设置在第一和第二输入连接端之间，以便限制施加在所述保护电路上的电压，并且所述保护电路具有由双向二极管或晶闸管二极管以及由齐纳元件组成的串联电路，其特征在于，保护电路具有功率半导体，其中在功率半导体的集电极与门极之间连接有由所述双向二极管或所述晶闸管二极管以及由所述齐纳元件组成的串联电路，其中齐纳电压和双向二极管电压的和产生用于功率半导体的钳位电压，该钳位电压位于电网的电压之上并且限定保护电平，所述功率半导体是IGBT，与所述IGBT并联连接有晶闸管，其中，晶闸管的阳极连接在IGBT的集电极上，而晶闸管的阴极连接在IGBT的发射极上，其中，晶闸管的门极与IGBT的门极连接。