[发明专利]基于模仿电阻式存储器写入操作来调节电阻式存储器写入驱动器强度在审

专利信息
申请号: 201680009759.3 申请日: 2016-01-25
公开(公告)号: CN107210061A 公开(公告)日: 2017-09-26
发明(设计)人: 金泰芸;金俊培;金晟烈 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 王茂华,崔卿虎
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了基于模仿电阻式存储器写入操作来调节电阻式存储器写入驱动器强度的各方面。在一方面,提供了一种写入驱动器调节电路以调节由写入驱动器向电阻式存储器提供的写入电流以用于写入操作。写入驱动器调节电路包括被配置为提供对提供给电阻式存储器的写入电流模仿的模仿写入电流的模仿写入驱动器。模仿写入电流被施加到包含对电阻式存储器的电阻分布模仿的模仿电阻式存储器元件的模仿电阻式存储器。当施加模仿写入电流时,模仿电压跨模仿电阻式存储器元件而生成。写入驱动器调节电路被配置为基于模仿电压来调节写入电流,使得写入电流对于写入操作是足够的,但是足够低以减少击穿。
搜索关键词: 基于 模仿 电阻 存储器 写入 操作 调节 驱动器 强度
【主权项】:
一种用于调节电阻式存储器的写入电流的写入驱动器调节电路,包括:模仿写入驱动器电路,被配置为提供模仿由写入驱动器向电阻式存储器提供的写入电流的模仿写入电流;模仿电阻式存储器,具有与所述电阻式存储器的电阻相对应的模仿电阻;以及写入驱动器控制电路,被配置为:确定当所述模仿写入电流被提供到所述模仿电阻式存储器时跨所述模仿电阻式存储器生成的模仿电压;将确定的模仿电压与阈值电压相比较;以及基于所述模仿电压与所述阈值电压的比较来调节由所述写入驱动器向所述电阻式存储器提供的所述写入电流。
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