[发明专利]金属硬掩模组合物和用于在半导体基底上形成精细图案的方法

摘要

本发明涉及具有改进的稳定性的新的组合物，其包含可溶性多配体取代的金属化合物、多元醇化合物和溶剂，其用于将材料填充在具有微光刻特征的良好沟槽或通孔填充特性的光致抗蚀剂图案上，其中填充图案在基于氧的等离子体中具有良好的耐等离子体蚀刻性，并且用作在半导体基底上形成精细图案中的硬掩模，所述精细图案通过该硬掩模的图案转移形成。本发明还涉及在用于制造电子器件的方法中使用该组合物。

主权项

1.一种组合物，其包含：a)结构(I)的可溶性多配体取代的金属化合物其中M为(4)价金属，n为1至20，并且其中R₁、R₂、R₃和R₄是独立地选自1)、2)、3)的结构部分或其混合物，条件是R₁、R₂、R₃和R₄的至少一种选自1)和2)，其中1)是有机结构部分(II)，其中R₈选自C₂‑C₁₀亚烷基、C₃‑C₁₂支链亚烷基、C₅‑C₁₂亚环烷基，并且另外，其中R₉为氢或烷氧基羰基结构部分(IV)，其中R₁₀为C₁‑C₈烷基，2)是具有结构(III)的具有至少2个碳的含硅有机结构部分其中R₅和R₆独立地选自C₁‑C₈烷基、C₃‑C₁₂支链烷基或芳基，R₇独立地选自C₁‑C₈烷基、芳基、羟基或结构(V)的硅氧烷，其中R₁₁为氢、C₁‑C₈烷基结构部分、被羟基取代的C₁‑C₈烷基结构部分或芳基结构部分，并且R₁₂和R₁₃独立地选自C₁‑C₈烷基结构部分、C₃‑C₁₂支链烷基结构部分或芳基结构部分，并且其中p表示硅氧烷结构部分(V)中的重复单元数；和3)是选自以下的有机结构部分：C₂‑C₈烷基、C₆‑C₁₆芳基或取代芳基、C₂‑C₈烷基羧基、C₆‑C₁₆芳基或取代芳基羧基、氟化C₂‑C₈烷基羧基、氟化C₆‑C₁₆芳基或取代芳基羧基、C₂‑C₈烷基磺酰基、C₆‑C₁₆芳基或取代芳基磺酰基、氟化C₂‑C₈烷基磺酰基、氟化C₆‑C₁₆芳基或取代芳基磺酰基及其混合物；b)具有结构(VI)的多元醇化合物其中X为C或N，其中r为至少2并且q在0‑2范围内，并且其中当X为C时，q和r之和为4，以及当X为N时，q和r之和为3，并且另外其中R₁₄为氢、C₁至C₈烷基结构部分或C₂至C₈羟基亚烷基结构部分；并且当X为N时，Y为C₂‑C₈亚烷基结构部分；当X为C时，Y独立地选自直接价键、C₂‑C₈亚烷基结构部分或包含具有结构(VII)的烷氧基亚烷链的结构部分，其中R₁₅为C₂至C₈亚烷基结构部分，t为0至2并且t’为1至2；和c)溶剂。