[发明专利]用于从存储器位胞元读取数据的存储器系统和方法

摘要

本发明公开用于采用P型场效应晶体管PFET读取端口的存储器位胞元的读取辅助电路。本发明还公开相关存储器系统和方法。已观察到，随着节点技术的大小按比例缩小，PFET驱动电流(即，驱动强度)超出用于类似尺寸的FET的N型FET NFET驱动电流。在这点上，在一个方面中，需要提供具有与NFET读取端口相对的PFET读取端口的存储器位胞元来增加对所述存储器位胞元的存储器读取时间，并且由此改进存储器读取性能。为了缓解或避免可能会在读取所述存储器位胞元时发生的读取扰乱条件，为具有PFET读取端口的存储器位胞元提供读取辅助电路。

主权项

1.一种存储器系统，其包括：存储器位胞元，其包括：存储电路，其经配置以存储数据；一或多个P型场效应晶体管PFET存取晶体管，其耦合到所述存储电路；以及所述一或多个PFET存取晶体管中的每一者包括栅极，所述栅极经配置以响应于读取操作而由字线激活以使得所述一或多个PFET存取晶体管将所述数据从所述存储电路传递到耦合于所述存储器位胞元的读取辅助电路；以及读取辅助电路，其经配置以响应于所述读取操作而提升所述存储器位胞元中的电压以辅助将所述数据从所述存储电路传送到位线，其中所述读取辅助电路包括：字线正升压电路，其耦合到所述字线且经配置以响应于所述读取操作而正提升所述字线上的电压从而正提升所述一或多个PFET存取晶体管的所述栅极的电压，其中所述字线正升压电路包括：耦合到所述字线的升压发生器电路，所述升压发生器电路经配置以响应于所述读取操作而基于所述存储器位胞元的电源电压的一部分而正提升所述字线上的所述电压；以及耦合到所述字线正升压电路的所述升压发生器电路和所述字线的电荷存储单元，其中所述电荷存储单元经配置以存储电荷；以及所述升压发生器电路进一步经配置以：在所述读取操作外产生待存储于所述电荷存储单元中的电荷；以及响应于所述读取操作，将存储于所述电荷存储单元中的所述电荷耦合到所述字线上而正提升所述字线上的所述电压。