[发明专利]用于填充蚀刻孔的方法有效
| 申请号： | 201680010417.3 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN107249892B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 安格斯·诺斯;罗南·奥莱利;格雷戈里·麦卡沃伊 | 申请（专利权）人： | 马姆杰特科技有限公司 |
| 主分类号： | B41J2/16 | 分类号： | B41J2/16;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陈丹;郑霞 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 爱尔兰;IE |
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| 摘要： | 一种用于填充限定在晶片衬底的前侧表面中的一个或多个蚀刻孔的方法。所述方法包括以下步骤：(i)将热塑性第一聚合物层沉积到所述前侧表面上和每个孔中；(ii)回流所述第一聚合物；(iii)将所述晶片衬底暴露于受控的氧化等离子体；(iv)任选地重复步骤(i)至(iii)；(v)沉积可光成像的第二聚合物层；(vi)使用曝光和显影从这些孔的外周外侧的区域选择性地去除所述第二聚合物；以及(vii)平坦化所述前侧表面以提供用包含彼此不同的所述第一和第二聚合物的堵塞物填充的孔。每个堵塞物具有与所述前侧表面共面的相应上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 填充 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于填充限定在晶片衬底的表面中的一个或多个蚀刻孔的方法，所述方法包括以下步骤：(i)将热塑性第一聚合物层沉积到所述表面上和所述一个或多个蚀刻孔中的每个孔中；(ii)回流所述第一聚合物；(iii)将所述晶片衬底暴露于受控的氧化等离子体以便露出所述表面；(v)沉积可光成像的第二聚合物层以便用所述第二聚合物过度填充所述一个或多个蚀刻孔中的每个孔；(vi)从所述一个或多个蚀刻孔的外周外侧的区域选择性地去除所述第二聚合物以提供过度填充的孔，所述选择性地去除包括所述第二聚合物的曝光和显影；以及(vii)平坦化所述表面以提供用包含所述第一聚合物和所述第二聚合物的堵塞物填充的一个或多个孔，每个堵塞物具有与所述晶片衬底的所述表面共面的相应上表面，其中所述第一聚合物与所述第二聚合物不同。
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