[发明专利]基于电子束（E‑BEAM）的半导体器件特征有效
| 申请号： | 201680010706.3 | 申请日： | 2016-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN107257943A | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | S·S·宋;J·J·徐;杨达;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华;崔卿虎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了基于电子束(e‑beam)的半导体器件特征。在特定方面，一种方法包括执行第一光刻工艺以在半导体器件上制造第一组切割图案特征。第一组切割图案特征中的每个特征的从特征到有源区域的距离大于或等于阈值距离。该方法还包括执行电子束(e‑beam)工艺以在半导体器件上制造第二切割图案特征。第二切割图案特征的从第二切割图案特征到有源区域的第二距离小于或等于阈值距离。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电子束 beam 半导体器件 特征 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：执行第一光刻工艺以在半导体器件上制造第一组切割图案特征，其中所述第一组切割图案特征中的每个特征的从所述特征到有源区域的距离大于或等于阈值距离；以及执行电子束(e‑beam)工艺以在所述半导体器件上制造第二切割图案特征，其中所述第二切割图案特征的从所述第二切割图案特征到所述有源区域的第二距离小于或等于所述阈值距离。
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