[发明专利]衬底稳定化方法及实施这种方法的机器在审
| 申请号： | 201680010888.4 | 申请日： | 2016-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN107408496A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | F·托雷格罗萨;L·鲁;Y·斯皮格尔 | 申请（专利权）人： | 离子射线服务公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 张力更 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及衬底23的处理方法，包括掺杂步骤，之后紧接稳定化步骤。该方法是优异的，因为这个稳定化步骤在于将衬底浸没于气体中，所述气体属于包括氧气、水蒸气、湿空气、过氧化氢蒸气、臭氧和氨的组。本发明还涉及根据上述方法处理衬底的机器，其包括用于引入气体的孔。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 稳定 方法 实施 这种方法 机器 | ||
【主权项】：
衬底(23)的处理方法，包括掺杂步骤，之后紧接稳定化步骤；其特征在于，所述稳定化步骤在于将衬底浸没于气体中，所述气体属于包括氧气、水蒸气、湿空气、过氧化氢蒸气、臭氧和氨的组。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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