[发明专利]上层膜形成用组合物以及使用了该上层膜形成用组合物的图案形成方法及电子器件的制造方法在审
| 申请号： | 201680011620.2 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN107250914A | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 后藤研由;井上尚纪;丹吴直纮;山本庆;白川三千纮 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C08F20/38;G03F7/32;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种上层膜形成用组合物以及使用了该上层膜形成用组合物的图案形成方法和电子器件的制造方法，本发明的含有聚合物的光致抗蚀剂用上层膜形成用组合物中，能够通过光致抗蚀剂用上层膜形成用组合物，以较高的焦点深度性能形成具有超微细的宽度或孔直径，例如60nm以下的沟槽图案或孔图案，所述光致抗蚀剂用上层膜形成用组合物在聚合物的通过凝胶渗透色谱法测定的分子量分布中，重均分子量为4万以上的高分子量成分的峰面积相对于整体峰面积为0.1％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 上层 形成 组合 以及 使用 图案 方法 电子器件 制造 | ||
【主权项】：
一种光致抗蚀剂用上层膜形成用组合物，其含有聚合物，其中，在所述聚合物的通过凝胶渗透色谱法测定的分子量分布中，重均分子量为4万以上的高分子量成分的峰面积相对于整体峰面积为0.1％以下。
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