[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680011837.3 | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107408575B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 星保幸;原田祐一;椎木崇 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L23/48;H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具备：源电极(8)、设置在源电极(8)上的保护膜(15)、设置在源电极(8)上的未设置有保护膜(15)的部分的镀覆膜(16)，在镀覆膜(16)与保护膜(15)与源电极(8)相互接触的三重点部分的正下方未设置有沟道。此外，半导体装置在镀覆膜(16)与保护膜(15)与源电极(8)相互接触的三重点部分的正下方未设置有第二个第一导电型区(4)。由此，能够提高利用焊料接合销状电极的半导体装置的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型宽带隙半导体基板，包括带隙比硅宽的半导体；第一导电型宽带隙半导体沉积层，沉积于所述第一导电型宽带隙半导体基板的正面，且与所述第一导电型宽带隙半导体基板相比杂质浓度低；第二导电型半导体区，选择性地设置在所述第一导电型宽带隙半导体沉积层的、与所述第一导电型宽带隙半导体基板侧相反一侧的表面层；第二导电型宽带隙半导体层，设置在所述第一导电型宽带隙半导体沉积层和所述第二导电型半导体区的表面，且包括带隙比硅宽的半导体；第一个第一导电型区，选择性地设置在所述第二导电型宽带隙半导体层内的、所述第一导电型宽带隙半导体沉积层上；第二个第一导电型区，选择性地设置在所述第二导电型宽带隙半导体层内；栅电极，隔着栅极绝缘膜设置在所述第二个第一导电型区和所述第一个第一导电型区之上；源电极，与所述第二导电型宽带隙半导体层和所述第二个第一导电型区接触；层间绝缘膜，覆盖所述栅电极；漏电极，设置在所述第一导电型宽带隙半导体基板的背面；保护膜，选择性地设置在所述源电极上；镀覆膜，选择性地设置在所述源电极上的未设置有所述保护膜的部分；以及销状电极，介由焊料与所述镀覆膜连接，并将信号引出到外部，其中，在所述镀覆膜与所述保护膜与所述源电极相互接触的三重点部分的正下方未设置有沟道。
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