[发明专利]对一次性可编程存储器电路进行编程的系统、装置和方法

摘要

根据本公开的一些示例的一种用于一次性可编程(OTP)存储器的半导体器件包括栅极、在该栅极下方的介电区、在该介电区下方且向一侧偏移的源极端子、在该介电区下方且向与该源极端子的相对侧偏移的漏极端子、该介电区中能够对该半导体器件进行编程的漏极侧电荷陷阱、以及该介电区中与该漏极侧电荷陷阱相对且能够对该半导体器件进行编程的源极侧电荷陷阱。

主权项

一种用于一次性可编程(OTP)存储器的半导体器件，包括：栅极；在所述栅极垂直下方的介电区；在所述栅极和所述介电区垂直下方且向第一侧水平偏移的源极端子；在所述栅极和所述介电区垂直下方且向与所述第一侧相对的第二侧水平偏移的漏极端子；所述介电区中的漏极侧Vt编程区，所述漏极侧Vt编程区能够对所述半导体器件进行编程；以及所述介电区中与所述漏极侧Vt编程区水平相对的源极侧Vt编程区，所述源极侧Vt编程区能够对所述半导体器件进行编程。