[发明专利]用于提高对非易失性存储器中的缺陷的抗干扰性的方法和装置有效
| 申请号： | 201680012349.4 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN107408019B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | X·郭;F·朱;Y·B·瓦克肖尔;D·J·佩尔斯特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F11/10;G11C14/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘瑜;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了涉及用于平坦间接系统中的可变扇区大小(VSS)实现的旋转平面XOR方案的方法和装置。在一个实施例中，非易失性存储器将用户数据存储在跨多个管芯的多个平面的第一集合中以及将对应于所述用户数据的奇偶数据存储在多个平面的第二集合中。旋转在跨多个管芯的多个平面的第一集合中以及在多个平面的第二集合中的用户数据以匹配奇偶数据的映射。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 非易失性存储器 中的 缺陷 抗干扰 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：非易失性存储器，其用于将用户数据存储在跨多个管芯的多个平面的第一集合中以及将对应于所述用户数据的奇偶数据存储在多个平面的第二集合中；以及逻辑，其用于旋转在跨所述多个管芯的所述多个平面的第一集合中以及在所述多个平面的第二集合中的所述用户数据以匹配所述奇偶数据的映射。
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