[发明专利]使用基于气体团簇离子束技术的中性射束处理的超浅蚀刻方法以及由此产生的物品在审
| 申请号： | 201680012562.5 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN107408483A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 肖恩·R·柯克帕特里克;理查德·C·什夫卢加 | 申请（专利权）人： | 艾克索乔纳斯公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01L21/00;H01L21/02;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司11278 | 代理人： | 刘小峰 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于浅蚀刻基板表面的方法，使用加速中性射束形成覆盖未改性的基板的浅改性基板层，并蚀刻改性层，在下方未改性的基板处停止以产生受控浅蚀刻基板表面。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 基于 气体 离子束 技术 中性 处理 蚀刻 方法 以及 由此 产生 物品 | ||
【主权项】：
一种用于受控浅蚀刻基板表面的方法，包含以下步骤：提供减压室；在所述减压室内形成包含气体团簇离子的气体团簇离子束；加速所述气体团簇离子以在所述减压室内沿着射束路径形成加速气体团簇离子束；促进沿着所述射束路径的所述加速气体团簇离子的至少一部分的分裂和/或离解；从所述射束路径去除带电粒子以在所述减压室中沿所述射束路径形成加速中性射束；将所述基板保持在所述射束路径中；通过用加速中性射束照射所述基板的表面的一部分来在所述表面的被照射部分上形成浅改性层来对所述基板的表面的一部分进行处理，所述浅改性层叠在下面的未改性的基板上；蚀刻具有所述浅改性层的所述表面以优先去除所述表面上的所述浅改性层中的材料，并且其中所述蚀刻在所述下面的未改性基板处停止。
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