[发明专利]具有独立调制光栅区段以减少啁啾的双区段半导体激光器有效
| 申请号： | 201680012687.8 | 申请日： | 2016-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN107454990B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 郑军;默里·史蒂芬J;克劳斯·亚历山大·安索姆;张焕林;迪恩·麦因托希·朵希 | 申请（专利权）人： | 祥茂光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/06;H01S5/0625 |
| 代理公司： | 33228 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 李迎春 |
| 地址： | 美国得克萨斯州舒*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种双区段半导体激光器包括增益区段和独立调制的光栅区段以减少啁啾。独立调制的光栅区段包括用于反射光线的衍射光栅，以及连同增益区段形成激光腔，用于依照衍射光栅所反射的波长或波长范围激射。半导体激光器的增益区段包括增益电极，利用至少调制射频信号用于驱动增益区段，以及光栅区段包括光栅电极，独立于增益区段的调制利用直流偏置电流驱动光栅区段。因此，半导体激光器利用调制射频信号直接被调制，此调制未明显影响衍射光栅中的折射率，从而减少啁啾。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 独立 调制 光栅 区段 减少 啁啾 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器装置，其特征在于，包括：/n一激光腔，由多个半导体层形成，所述多个半导体层定义延伸穿透该激光腔的至少一个有源区，该激光腔包括不具有衍射光栅的一增益区段和具有衍射光栅的一光栅区段，其中当在1.2GHz或更高的频率调制该增益区段时，该激光腔产生低于30MHz/mA的啁啾，以及其中该激光腔被配置为在1530至1570纳米范围中的固定信道波长激射；/n一增益电极，位于该增益区段中的半导体层的外部上且电耦合该增益区段中的有源区，用于利用一直流偏置和一调制射频信号驱动该增益区段以调制该增益区段；以及/n一光栅电极，位于该光栅区段中的半导体层的外部上且电耦合该光栅区段中的有源区，用于独立于该增益区段的调制利用一直流偏置驱动该光栅区段。/n
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