[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680012709.0 | 申请日： | 2016-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN107431053B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 横山岳;齐藤隆 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/40 | 分类号： | H01L23/40;H05K7/20 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 防止对半导体芯片的损伤而抑制半导体装置的散热性下降。具有：准备散热基座的工序(步骤S101)；对散热基座的背面进行喷丸处理的工序(步骤S102)；利用金属材料对散热基座的正面和背面进行镀覆的镀覆处理工序(步骤S103)；通过加热将进行了喷丸处理的散热基座、隔着焊料配置在散热基座的正面且具有绝缘板和设置在绝缘板的正面的电路板的层叠基板、以及隔着焊料配置在电路板上的半导体芯片进行焊料接合的工序。由此，能够在将半导体芯片、层叠基板、散热基座组装之前，通过喷丸处理对散热基座施加初始翘曲(向下凸起)，因此，不会对半导体芯片、焊料带来损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：准备散热基座的工序；利用金属材料对所述散热基座的正面和背面进行镀覆的镀覆处理工序；在所述镀覆处理工序之前或之后，对所述散热基座的背面进行喷丸处理的工序；以及通过加热将进行了所述喷丸处理的所述散热基座、隔着焊料配置在所述散热基座的正面且具有绝缘板和设置在所述绝缘板的正面的电路板的层叠基板、以及隔着焊料配置在所述电路板上的半导体芯片进行焊料接合的工序。
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