[发明专利]化合物半导体热电材料及其制造方法在审
| 申请号： | 201680012741.9 | 申请日： | 2016-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107408618A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 权五贞;崔铉祐;林炳圭;郑明珍;朴哲熙 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/18;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡胜有,梁笑 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了化合物半导体热电材料，其制造方法以及使用其的热电模块、热电发电机或热电冷却装置，所述化合物半导体热电材料通过具有优异的功率因数和ZT值而具有优异的热电转换性能，并且特别地，在低温下具有优异的热电转换性能。根据本发明的化合物半导体热电材料包含n型化合物半导体基体；和分散在基体中的n型颗粒，所述n型颗粒是与基体不同的化合物半导体并且平均颗粒尺寸为1μm至100μm。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 热电 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体热电材料，包含：n型化合物半导体基体；和分散在所述基体中的n型颗粒，其中所述n型颗粒是与所述基体不同的化合物半导体并且平均颗粒尺寸为1μm至100μm。
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