[发明专利]具有底部填充封围腔的半导体装置组合件有效
| 申请号： | 201680012840.7 | 申请日： | 2016-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN107408546B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | A·查杜鲁;W·H·黄;S·S·瓦德哈维卡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/42 | 分类号： | H01L23/42;H01L29/06;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文揭示具有底部填充封围腔的半导体装置组合件。在一个实施例中，半导体装置组合件可包含第一半导体裸片，所述第一半导体裸片具有由衬底材料形成的基底区域、沿着所述基底区域的凹入表面、由所述衬底材料形成且从所述基底区域突出的外围区域及沿着所述外围区域且与所述凹入表面在所述外围区域中界定腔的侧壁表面。所述半导体装置组合件进一步包含邻近所述腔而附接到所述第一裸片的所述外围区域的热传递结构及至少部分填充所述腔且包含所述外围区域与第二半导体裸片堆叠之间的填角料的底部填充材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 底部 填充 封围腔 半导体 装置 组合 | ||
【主权项】：
一种半导体装置组合件，其包括：第一半导体裸片，其具有由衬底材料形成的基底区域、沿着所述基底区域的凹入表面、由所述衬底材料形成且从所述基底区域突出的外围区域及沿着所述外围区域的侧壁表面，且其中所述凹入表面及所述侧壁表面在所述外围区域内界定腔；第二半导体裸片堆叠，其至少部分在所述腔中；热传递结构，其附接到第一半导体裸片的所述外围区域上；及底部填充材料，其至少部分填充所述腔且包含所述外围区域与所述第二半导体裸片堆叠之间的填角料。
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