[发明专利]成像元件及其制造方法和电子设备有效

专利信息
申请号: 201680012843.0 申请日: 2016-02-25
公开(公告)号: CN107431076B 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 太田和伸;佐藤充;若野寿史 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/14;H04N5/369
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 王新春;曹正建
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本技术涉及一种具有有机光电转换膜的背面照射型的成像元件及其制造方法和电子设备,通过该成像元件能够防止混色并能够确保动态范围。根据本技术一方面的成像元件包括设置在半导体基板的一侧的光电转换膜、形成在像素间区域中的像素分离部和将与光电转换膜中的通过光电转换获得的电荷相对应的信号传输到形成在半导体基板的另一侧的配线层的贯通电极,该贯通电极形成在像素间区域中。本技术适用于背面照射型的CMOS图像传感器。
搜索关键词: 成像 元件 及其 制造 方法 电子设备
【主权项】:
一种成像元件,包括:像素,所述像素各自具有:设置在半导体基板的一侧的光电转换膜,形成在像素间区域中的像素分离部,和将与所述光电转换膜中的通过光电转换获得的电荷相对应的信号传输到形成在所述半导体基板的另一侧的配线层的贯通电极,所述贯通电极形成在所述像素间区域中。
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