[发明专利]成像元件及其制造方法和电子设备有效
申请号: | 201680012843.0 | 申请日: | 2016-02-25 |
公开(公告)号: | CN107431076B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 太田和伸;佐藤充;若野寿史 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/14;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 王新春;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本技术涉及一种具有有机光电转换膜的背面照射型的成像元件及其制造方法和电子设备,通过该成像元件能够防止混色并能够确保动态范围。根据本技术一方面的成像元件包括设置在半导体基板的一侧的光电转换膜、形成在像素间区域中的像素分离部和将与光电转换膜中的通过光电转换获得的电荷相对应的信号传输到形成在半导体基板的另一侧的配线层的贯通电极,该贯通电极形成在像素间区域中。本技术适用于背面照射型的CMOS图像传感器。 | ||
搜索关键词: | 成像 元件 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
一种成像元件,包括:像素,所述像素各自具有:设置在半导体基板的一侧的光电转换膜,形成在像素间区域中的像素分离部,和将与所述光电转换膜中的通过光电转换获得的电荷相对应的信号传输到形成在所述半导体基板的另一侧的配线层的贯通电极,所述贯通电极形成在所述像素间区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的