[发明专利]具有反向弯曲靶几何形状的溅射靶在审
| 申请号： | 201680012888.8 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN107406972A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | R.S.贝利;J.严;M.K.霍尔库姆;A.莱博维奇 | 申请（专利权）人： | 东曹SMD有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 杨艳 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供大致平坦的溅射靶，其具有面向磁控管组件中的磁体的反向弯曲表面(即，凸部)。提供制造铜和铜合金靶的方法，其包括在1100‑1300F的温度下进行退火步骤约1‑2小时的时间。由所述方法制造的靶具有约30‑90微米的增加的晶粒尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反向 弯曲 几何 形状 溅射 | ||
【主权项】：
大致平坦的溅射靶，其具有凸状表面形式的初始反向弯曲，所述初始反向弯曲呈现大于0.04％的弯曲百分比，所述反向弯曲适于在溅射期间继续弯曲。
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