[发明专利]多孔硅-硅氧化物-碳复合物和其制备方法有效
| 申请号： | 201680012923.6 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN107408677B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 崔丞延;崔壮旭;金银卿;李龙珠;金慧珍 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学;韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/485;H01M4/62;H01M10/052 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包含硅氧化物‑碳结构和硅粒子的多孔硅‑硅氧化物‑碳复合物，其中所述硅氧化物‑碳结构包含多个微孔，并且所述硅粒子均匀分布在所述硅氧化物‑碳结构中。本发明的多孔硅‑硅氧化物‑碳复合物具有减少的因嵌入锂离子造成的体积膨胀，具有改善的导电性，并且具有多孔结构。因此，电解质容易渗透到所述多孔结构中，并且输出特性可以改善。因此当所述多孔硅‑硅氧化物‑碳复合物包含在负极活性材料中时可以进一步改善锂二次电池的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 氧化物 复合物 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多孔硅‑硅氧化物‑碳复合物，其包含硅氧化物‑碳结构和硅粒子，其中所述硅氧化物‑碳结构包含多个微孔，并且所述硅粒子均匀分布在所述硅氧化物‑碳结构中。
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